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Galaxy S6新武器:将用下一代UFS存储卡

CNMO 【原创】 作者:许华,孟滨 2014-11-13 08:19
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  【手机中国 新闻】据韩媒ETNews报道,三星消息人士透露,该公司正准备在新旗舰Galaxy S6上使用下一代NAND Flash存储卡,这项存储技术可能会称为UFS 2.0。

  UFS(通用闪存存储器)能达到SSD类似的转换速度,不过却像eMMC存储芯片一样生产便宜。事实上,该技术能获得比eMMC存储快3倍,转换速度能达到1.2GB/s。该产品能耗却比eMMC更低,这使得它不会很耗电或出现过热的问题。消息人士表示,最近UFS 2.0技术发展已使得其能耗仅为eMMC 5.0的一半。

将用下一代UFS存储器 Galaxy S6再曝光
Galaxy S6将用下一代UFS存储卡

  该技术标准是在三星、诺基亚和Micron发起的电子元件工业联合会(JEDEC)下建立的,这个组织于2007年建立。东芝和海力士也加入UFS 2.0存储的研发。

  不过,也不只是三星才有这项计划,据称小米也将在未来产品中使用UFS 2.0 NAND存储卡。三星今年在中国市场遭到小米激烈挑战,份额在不断萎缩。

  据称,三星将会使用UFS技术逐步取代智能手机中所使用的SD卡和microSD卡。首批使用该技术的产品很可能是明年年初将发布的Galaxy S6以及之后的Note 5。

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