据韩媒ETNews报道，三星消息人士透露，该公司正准备在新旗舰Galaxy S6上使用下一代NAND Flash存储卡，这项存储技术可能会称为UFS 2.0。该技术标准是在三星、诺基亚和Micron发起的电子元件工业联合会（JEDEC）下建立的，这个组织于2007年建立。东芝和海力士也加入UFS 2.0存储的研发。
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