【手机中国 新闻】目前闪存芯片市场基本被韩国企业垄断,不过有一家公司或许可以打破这种格局。近日,西部数据推出了全新的iNAND嵌入式闪存芯片产品,有UFS和eMMC两种标准类型,采用eMMC标准的型号为iNAND 7550,采用UFS标准的型号为iNAND 8521,二者均基于SanDisk的64层3D堆叠技术打造,容量最大为256GB。
采用eMMC标准的iNAND 7550显然是为高性价比产品打造的,根据测试数据来看,这款闪存颗粒的连续写入速度260MB/s,只能说中规中矩。而采用UFS标准的iNAND 8521,其连续写入速度可以达到600MB/s,随机读取速度也快了10倍。
据悉,iNAND 8521支持UFS 2.1,采用第五代智能SLC技术,号称专为5G网络时代而生。而随着闪迪加入闪存颗粒的市场,三星、东芝等老牌厂商也有了新的对手,或许这也会改变“闪存只能用韩厂”的尴尬局面,未来也不用担心“闪存供应被卡脖子”。
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