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Arm和三星代工厂携手推进7nm先进工艺

CNMO 【原创】 作者:杜跃 2018-06-19 16:03
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  【手机中国新闻】芯片之争一直在进行着,而芯片的创新也是众多竞争者必争的高地。近期,在超深亚微米工艺节点创新方面已合作多年的Arm与三星代工厂宣布双方合作之旅的新里程碑:为期待已久的极紫外(EUV)光刻技术,提供首款7LPP(7nmLowPowerPlus)和5LPE(5nmLowPowerEarly)库面市。这是Arm与三星代工厂12年成功合作旅程的最新成果,双方从65nm工艺开始不断推出新技术和产品库。利用Arm独特的IP集成能力,三星代工厂可使用Arm物理和处理器IP验证其最顶级节点的设计就绪状态。

图片来自arm
图片来自arm

  EUV可降低7nm设计实施的复杂性。制造商可将三个或四个光刻层变为一个光刻层,并将多个图层变成单个图层,从而大大缩短处理周期时间,缩小芯片尺寸。此外,由于采用比多色图层更严格的设计规则,EUV 还可实现更紧凑的布局。三星代工厂最新的7LPP EUV制造工艺采用高能EUV光源生产具有超精细设备特性的芯片,临界尺寸只有7nm。

  Arm Artisan IP供货Arm 7LPP物理IP平台将从2018年第3季度开始供货,面向移动、消费、高性能计算和汽车领域的主要客户设计。5LPE 物理 IP 平台产品将于 2019 年年初开始供货。

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