【CNMO新闻】三星方面宣布,即将开始批量生产其首款商用eMRAM,并开始出货。该产品基于其28纳米全耗尽FD-SOI的工艺技术。MRAM技术是非易失性的,即使没有电,也不会像NAND闪存一样擦除数据。但它仍然可以像易失性DRAM一样快速处理数据,并被认为是下一代存储器技术。
三星方面表示,其eMRAM的写入速度比eFlash快一千倍。因为它在写入数据之前不需要擦除周期,同时它还可以克服后者的可扩展性问题。它的功耗也较低,因为它在关闭时不会消耗功率。FD-SOI的工艺技术与eMRAM一样,都是在硅晶圆上放置绝缘膜以减少功率泄漏。
对于三星这一全球最大的内存芯片制造商来说,此次的成功是一个重要的里程碑。该公司表示这一技术发展将增强其竞争力。三星还表示,其eMRAM模块可以轻松插入现有的逻辑技术,如BULK、FIN和FD-SOI晶体管。
该公司希望其eMRAM解决方案能够在微控制器单元、物联网和人工智能方面找到应用。三星的代工业务也将eMRAM应用于其片上系统,这将使其产品与竞争对手区别开来。
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