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三星研发出第三代10纳米级DRAM 领先竞争对手一年

CNMO 【编译】 作者:陈祥凯,韩媛 韩媛 2019-03-22 15:47
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  【CNMO新闻】三星电子周四宣布已经率先完成了第三代10纳米级8Gb DDR4内存的研发工作,这离该公司开始大规模量产第二代10纳米级8Gb DDR4内存不过16个月的时间。

三星第三代10纳米级8Gb DDR4
三星第三代10纳米级8Gb DDR4

  这家世界上最大的存储芯片厂商表示现在可以用新一代DRAM更好地满足全世界的内存需求,而10纳米是目前世界上最小的内存制程节点。新产品的工作效率比前一代产品高了超过20%。

  据市场研究公司HIS的数据,去年第三季度三星电子是全球市场份额最高的DRAM厂商,大约为43.4%,SK海力士和镁光科技分列二、三位。

  业内人士表示三星研发出第三代10纳米级内存代表该公司的产品比竞争对手领先了一年。三星表示将从今年第二季度开始生产新一代10纳米内存并供应给2020年上市的下一代企业级服务器和高端PC。三星表示这一成果将帮助全球IT界向下一代DRAM交互转型,同时还会巩固三星在企业、服务器、图像处理和移动设备等领域高端DRAM市场的地位。

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