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为迎战三星 台积电加速研发10纳米制程

CNMO 【原创】 作者:许华 2014-07-09 18:21
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  【手机中国 新闻】据台湾媒体报道,业内人士透露,台积电计划加速研发10纳米先机制程以迎战来自三星的竞争,据称三星已获得高通14纳米FinFET芯片生产的订单。

台积电加速研发10纳米工艺

  在研发FinFET制程中,台积电和三星之间的竞争非常激烈,三星开发14纳米制程,而台积电在研发16纳米制程。这两种制程将于2015年初进入量产。

  台积电一直是研发FinFET技术的先锋,消息人士透露,该厂商将于2014年四季度生产16纳米FinFET芯片。

  尽管如此,台积电已更改生产16纳米FinFET制程计划,该厂商计划推出更先进的16纳米FinFET制程,这意味着其芯片耗能更低,芯片尺寸也会更小。

  不过,消息人士表示,三星研发的14纳米制程速度比台积电认为的更快,这促使台积电要加快研发10纳米技术,以维持其领先地位。

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